SCS310AHGC9
Код товару: 160445
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: TO-220ACP-2
Зворотня напруга Vrrm, V: 650 V
Прямий струм (per leg) If, A: 10 A
Падіння напруги Vf, V: 1,5 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, A: 300 A
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SCS310AHGC9 за ціною від 124.09 грн до 480.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS310AHGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS310AHGC9 | ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V;10A;71W SiC SBD TO-220ACP |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SCS310AHGC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 281.14 грн |
| 50+ | 137.02 грн |
| 100+ | 124.09 грн |
| SCS310AHGC9 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V;10A;71W SiC SBD TO-220ACP
Schottky Diodes & Rectifiers 650V;10A;71W SiC SBD TO-220ACP
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 480.82 грн |
| 10+ | 355.66 грн |
| 100+ | 279.59 грн |
| 250+ | 264.40 грн |
| 500+ | 248.52 грн |
| 1000+ | 200.20 грн |