SCS310AMC7G ROHM Semiconductor
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 366.49 грн |
| 10+ | 302.88 грн |
| 100+ | 213.35 грн |
| 250+ | 201.58 грн |
| 500+ | 189.07 грн |
| 1000+ | 161.85 грн |
| 2500+ | 153.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS310AMC7G ROHM Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220FM, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS310AMC7G за ціною від 152.03 грн до 423.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS310AMC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|