SCS312AGC16 ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 410.52 грн |
| 10+ | 305.49 грн |
| 100+ | 215.58 грн |
| 500+ | 191.24 грн |
| 1000+ | 168.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS312AGC16 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCS312AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACGE, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACGE, Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SCS312AGC16 за ціною від 183.07 грн до 431.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS312AGC16 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SCS312AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACGEtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCS312AGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |