SCS312AGC16 ROHM Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 428.97 грн |
| 10+ | 355.32 грн |
| 100+ | 250.26 грн |
| 250+ | 236.32 грн |
| 500+ | 211.37 грн |
| 1000+ | 179.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS312AGC16 ROHM Semiconductor
Description: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220ACFP, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS312AGC16
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS312AGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |