SCS312AGC16 ROHM Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 445.64 грн |
| 10+ | 331.63 грн |
| 100+ | 234.02 грн |
| 500+ | 207.60 грн |
| 1000+ | 183.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS312AGC16 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCS312AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACGE, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACGE, Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції SCS312AGC16 за ціною від 196.71 грн до 475.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS312AGC16 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SCS312AGC16 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACGEtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACGE Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS312AGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |