SCS312AHGC9 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS312AHGC9 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS312AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACP, Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCS312AHGC9 за ціною від 232.86 грн до 625.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS312AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCS312AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCS312AHGC9 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCS312AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCS312AHGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V;12A;78W SiC SBD TO-220ACP |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SCS312AHGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; Ir: 240uA Mounting: THT Technology: SiC Case: TO220AC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 240µA Max. forward voltage: 1.71V Power dissipation: 78W Load current: 12A Max. load current: 52A Max. off-state voltage: 650V Max. forward impulse current: 350A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube |
товару немає в наявності |