SCS312AJTLL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: LPTL
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 492.07 грн |
| 10+ | 303.18 грн |
| 100+ | 226.45 грн |
| 500+ | 182.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS312AJTLL Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: LPTL, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS312AJTLL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS312AJTLL | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL) |
на замовлення 1872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS312AJTLL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL)
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL)
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)