Продукція > ROHM > SCS312AJTLL

SCS312AJTLL ROHM


scs312aj-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS312AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-263AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+434.91 грн
10+263.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCS312AJTLL ROHM

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: LPTL, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.

Інші пропозиції SCS312AJTLL за ціною від 173.28 грн до 493.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCS312AJTLL SCS312AJTLL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS312AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL)
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.47 грн
10+294.53 грн
100+204.34 грн
500+200.20 грн
1000+173.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AJTLL SCS312AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS312AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: LPTL
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.16 грн
10+303.86 грн
100+226.96 грн
500+183.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AJTLL datasheet?p=SCS312AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL)
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+457.47 грн
10+294.53 грн
100+204.34 грн
500+200.20 грн
1000+173.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AJTLL datasheet?p=SCS312AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: LPTL
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.16 грн
10+303.86 грн
100+226.96 грн
500+183.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.