SCS312AJTLL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCS312AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-263AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 323.56 грн |
| 10+ | 229.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS312AJTLL ROHM
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: LPTL, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS312AJTLL за ціною від 187.39 грн до 504.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS312AJTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL) |
на замовлення 1872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS312AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCS312AJTLL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 350A Leakage current: 240µA Power dissipation: 88W Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 55A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 12A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SCS312AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SCS312AJTLL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 350A Leakage current: 240µA Power dissipation: 88W Max. forward voltage: 1.71V Max. load current: 55A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 12A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |