SCS312AMC ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCS312AMC - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 337.54 грн |
| 10+ | 233.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS312AMC ROHM
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220FM, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS312AMC за ціною від 210.40 грн до 503.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS312AMC | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 650V 12A 36W TO-220FM |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SCS312AMC | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS312AMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SCS312AMC | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |