SCS315AJTLL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 467.94 грн |
| 10+ | 386.23 грн |
| 100+ | 321.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS315AJTLL Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: LPTL, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS315AJTLL за ціною від 238.36 грн до 565.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS315AJTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 15A 100W TO-263AB (LPTL) |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SCS315AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |