SCS320AGC16

SCS320AGC16 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.00 грн
10+450.09 грн
100+326.64 грн
250+313.40 грн
500+287.65 грн
1000+258.96 грн
2500+247.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCS320AGC16 ROHM Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220ACFP, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

Інші пропозиції SCS320AGC16

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCS320AGC16 SCS320AGC16 Виробник : CODIXX AG Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.