SCS320AHGC9 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 643.79 грн |
| 25+ | 616.13 грн |
| 50+ | 592.66 грн |
| 100+ | 552.10 грн |
| 250+ | 495.69 грн |
| 500+ | 462.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS320AHGC9 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220ACP, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS320AHGC9 за ціною від 348.62 грн до 805.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS320AHGC9 | ROHM Semiconductor |
 SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SCS320AHGC9 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP
SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 805.40 грн |
| 10+ | 573.98 грн |
| 100+ | 416.28 грн |
| 500+ | 371.40 грн |
| 1000+ | 348.62 грн |