SCS320AHGC9

SCS320AHGC9 Rohm Semiconductor


scs320ahg-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+385.72 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCS320AHGC9 Rohm Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220ACP, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

Інші пропозиції SCS320AHGC9 за ціною від 391.27 грн до 974.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCS320AHGC9 SCS320AHGC9 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS320AH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC Schottky Diodes 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+843.22 грн
10+712.44 грн
100+516.26 грн
250+485.98 грн
500+455.71 грн
1000+409.90 грн
2000+391.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AHGC9 SCS320AHGC9 Виробник : Rohm Semiconductor scs320ahg-e.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+974.17 грн
17+760.68 грн
50+674.66 грн
100+610.60 грн
200+532.98 грн
500+482.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AHGC9 SCS320AHGC9 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS320AH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.