Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT011HU75G3AG
SCT011HU75G3AG

SCT011HU75G3AG STMicroelectronics

sct011hu75g3ag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 80A, 18V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1752.85 грн
10+1316.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT011HU75G3AG STMicroelectronics

Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 80A, 18V, Power Dissipation (Max): 652W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Supplier Device Package: HU3PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT011HU75G3AG за ціною від 1209.07 грн до 1941.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT011HU75G3AG SCT011HU75G3AG Виробник : STMicroelectronics sct011hu75g3ag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1941.64 грн
10+1565.21 грн
100+1308.12 грн
600+1209.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT011HU75G3AG Виробник : STMicroelectronics sct011hu75g3ag.pdf ST SiC Fet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT011HU75G3AG Виробник : STMicroelectronics sct011hu75g3ag.pdf ST SiC Fet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT011HU75G3AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00875353.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT011HU75G3AG SCT011HU75G3AG Виробник : STMicroelectronics sct011hu75g3ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 80A, 18V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.