Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT012H90G3AG
SCT012H90G3AG

SCT012H90G3AG STMicroelectronics

sct012h90g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 60A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1570.39 грн
10+1092.60 грн
100+1089.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT012H90G3AG STMicroelectronics

Description: H2PAK-7, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: H2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 60A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SCT012H90G3AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT012H90G3AG SCT012H90G3AG STMICROELECTRONICS 4319715.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT012H90G3AG SCT012H90G3AG STMICROELECTRONICS 4319715.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT012H90G3AG STMicroelectronics sct012h90g3ag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT012H90G3AG 4319715.pdf
SCT012H90G3AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT012H90G3AG 4319715.pdf
SCT012H90G3AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012H90G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT012H90G3AG sct012h90g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.