SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1653.45 грн |
| 10+ | 1027.07 грн |
| 1000+ | 786.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012W90G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 625W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm.
Інші пропозиції SCT012W90G3-4AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT012W90G3-4AG | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCT012W90G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, HiP247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 625W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT012W90G3-4AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012W90G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SCT012W90G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)