SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2124.03 грн |
| 10+ | 1860.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package.
Інші пропозиції SCT012W90G3-4AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT012W90G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| SCT012W90G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |