SCT015W120G3-4AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 673W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3701.40 грн |
| 5+ | 3500.86 грн |
| 10+ | 3299.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT015W120G3-4AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT015W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 673W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCT015W120G3-4AG за ціною від 2362.27 грн до 3832.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT015W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package |
на замовлення 95 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCT015W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 129A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SCT015W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
SCT015W120G3-4AG |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SCT015W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SCT015W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 60A, 18V Power Dissipation (Max): 673W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |