Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT016H120G3AG
SCT016H120G3AG

SCT016H120G3AG STMICROELECTRONICS


Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 652W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT016H120G3AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 652W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції SCT016H120G3AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT016H120G3AG SCT016H120G3AG STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT016H120G3AG SCT016H120G3AG STMICROELECTRONICS Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 652W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT016H120G3AG
SCT016H120G3AG
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT016H120G3AG
SCT016H120G3AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 652W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.