SCT016H120G3AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1777.47 грн |
| 10+ | 1433.60 грн |
| 100+ | 1100.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT016H120G3AG STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package.
Інші пропозиції SCT016H120G3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT016H120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 112A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
| SCT016H120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
||
| SCT016H120G3AG | Виробник : STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE |
товару немає в наявності |