Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT016H120G3AG
SCT016H120G3AG

SCT016H120G3AG STMICROELECTRONICS

4459948.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1569.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT016H120G3AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SCT016H120G3AG за ціною від 1111.55 грн до 1919.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT016H120G3AG SCT016H120G3AG Виробник : STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1794.56 грн
10+1447.38 грн
100+1111.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT016H120G3AG SCT016H120G3AG Виробник : STMICROELECTRONICS 4459948.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT016H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 112 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1919.55 грн
5+1745.20 грн
10+1569.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT016H120G3AG SCT016H120G3AG Виробник : STMicroelectronics en.dm01047214.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 112A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT016H120G3AG Виробник : STMicroelectronics Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT016H120G3AG Виробник : STMicroelectronics Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.