Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT018H65G3AG
SCT018H65G3AG

SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS

4319716.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT018H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1998.17 грн
5+1854.59 грн
10+1710.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS

Description: H2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 385W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.4 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2124 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT018H65G3AG за ціною від 1022.42 грн до 1789.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT018H65G3AG SCT018H65G3AG Виробник : STMICROELECTRONICS 4319716.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT018H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018H65G3AG Виробник : STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1789.23 грн
10+1566.54 грн
25+1270.78 грн
50+1231.17 грн
100+1191.55 грн
250+1112.32 грн
500+1022.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018H65G3AG SCT018H65G3AG Виробник : STMicroelectronics sct018h65g3ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018H65G3AG Виробник : STMicroelectronics SCT018H65G3AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018H65G3AG SCT018H65G3AG Виробник : STMicroelectronics Description: H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2124 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.