SCT018W65G3-4AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1723.16 грн |
| 5+ | 1576.61 грн |
| 10+ | 1429.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT018W65G3-4AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 398W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції SCT018W65G3-4AG за ціною від 1420.44 грн до 1754.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT018W65G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| SCT018W65G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics | SCT018W65G3-4AG |
товару немає в наявності |
||||||||
| SCT018W65G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A Automotive 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||
| SCT018W65G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics | SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
SCT018W65G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 398W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2077 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |