Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT019HU120G3AG
SCT019HU120G3AG

SCT019HU120G3AG STMICROELECTRONICS

4552688.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT019HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.026 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1576.81 грн
5+1403.21 грн
10+1248.24 грн
50+1104.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT019HU120G3AG STMICROELECTRONICS

Description: SIC MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA, Supplier Device Package: HU3PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111.2 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2789 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT019HU120G3AG за ціною від 919.46 грн до 1766.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT019HU120G3AG SCT019HU120G3AG Виробник : STMICROELECTRONICS 4552688.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT019HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.026 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1576.81 грн
5+1403.21 грн
10+1248.24 грн
50+1104.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT019HU120G3AG SCT019HU120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct019hu120g3ag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1766.71 грн
10+1362.97 грн
25+1132.34 грн
50+1131.59 грн
100+1012.32 грн
250+965.51 грн
600+919.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT019HU120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct019hu120g3ag.pdf SCT019HU120G3AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT019HU120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct019hu120g3ag.pdf SCT019HU120G3AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT019HU120G3AG SCT019HU120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct019hu120g3ag.pdf Description: SIC MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 10mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111.2 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.