Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT020HU120G3AG
SCT020HU120G3AG

SCT020HU120G3AG STMicroelectronics

sct020hu120g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1434.38 грн
10+1171.83 грн
100+880.98 грн
600+818.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT020HU120G3AG STMicroelectronics

Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: HU3PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA, Power Dissipation (Max): 555W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA.

Інші пропозиції SCT020HU120G3AG за ціною від 1061.60 грн до 1061.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT020HU120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct020hu120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 100A; 555W; D2PAK-7
Technology: SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 22V
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 555W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
600+1061.60 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AG SCT020HU120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct020hu120g3ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AG SCT020HU120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct020hu120g3ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.