SCT025H120G3AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1688.13 грн |
| 10+ | 1466.24 грн |
| 100+ | 1102.28 грн |
| 250+ | 1068.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT025H120G3AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCT025H120G3AG за ціною від 1558.90 грн до 1940.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT025H120G3AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SCT025H120G3AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SCT025H120G3AG | Виробник : STMicroelectronics | SCT025H120G3AG |
товару немає в наявності |