Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT025W120G3-4AG
SCT025W120G3-4AG

SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics

sct025w120g3-4ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1815.18 грн
10+1266.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT025W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 388W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SCT025W120G3-4AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT025W120G3-4AG SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics sct025w120g3-4ag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AG SCT025W120G3-4AG STMICROELECTRONICS sct025w120g3-4ag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT025W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 388W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AG sct025w120g3-4ag.pdf
SCT025W120G3-4AG
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AG sct025w120g3-4ag.pdf
SCT025W120G3-4AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT025W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 388W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.