SCT025W120G3AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1797.27 грн |
| 10+ | 1455.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT025W120G3AG STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package.
Інші пропозиції SCT025W120G3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT025W120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |