SCT027H65G3AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1165.61 грн |
| 10+ | 887.75 грн |
| 100+ | 704.80 грн |
| 1000+ | 635.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT027H65G3AG STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package.
Інші пропозиції SCT027H65G3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT027H65G3AG | Виробник : STMicroelectronics | SCT027H65G3AG |
товару немає в наявності |
||
| SCT027H65G3AG | Виробник : STMicroelectronics | SCT027H65G3AG |
товару немає в наявності |