Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT040H120G3AG

SCT040H120G3AG STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SCT040H120G3AG STMicroelectronics

Description: H2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT040H120G3AG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SCT040H120G3AG	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SCT040H120G3AG	Виробник : STMicroelectronics	SCT040H120G3AG SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SCT040H120G3AG	Виробник : STMicroelectronics	Description: H2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SCT040H120G3AG	Виробник : STMicroelectronics	Description: H2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SCT040H120G3AG	Виробник : STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.