Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT040H65G3AG
SCT040H65G3AG

SCT040H65G3AG STMicroelectronics

sct040h65g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+463.37 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT040H65G3AG STMicroelectronics

Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 221W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT040H65G3AG за ціною від 408.11 грн до 916.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT040H65G3AG SCT040H65G3AG Виробник : STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+472.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG SCT040H65G3AG Виробник : STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+506.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG SCT040H65G3AG Виробник : STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+637.84 грн
10+553.01 грн
100+515.31 грн
1000+478.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG SCT040H65G3AG Виробник : STMICROELECTRONICS 4010159.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+694.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG SCT040H65G3AG Виробник : STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+751.58 грн
10+501.17 грн
100+423.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG SCT040H65G3AG Виробник : STMICROELECTRONICS 4010159.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+887.86 грн
5+791.65 грн
10+694.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG SCT040H65G3AG Виробник : STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+916.39 грн
10+630.86 грн
100+480.79 грн
500+480.09 грн
1000+408.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG SCT040H65G3AG Виробник : STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.