SCT040H65G3AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 463.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT040H65G3AG STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 221W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT040H65G3AG за ціною від 398.73 грн до 895.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT040H65G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT040H65G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT040H65G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT040H65G3AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT040H65G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT040H65G3AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT040H65G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT040H65G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SCT040H65G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: SiC Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 39.5nC On-state resistance: 63mΩ Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 221W Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Case: H2PAK7 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |