SCT040HU120G3AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1160.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT040HU120G3AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCT040HU120G3AG за ціною від 798.03 грн до 1457.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT040HU120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT040HU120G3AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCT040HU120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
SCT040HU120G3AG |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SCT040HU120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SCT040HU120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |