Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT040TO65G3
SCT040TO65G3

SCT040TO65G3 STMICROELECTRONICS

4420374.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+500.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT040TO65G3 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 288W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm.

Інші пропозиції SCT040TO65G3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність _PRICE_WITHOUT_VAT
SCT040TO65G3 SCT040TO65G3 STMicroelectronics sct040to65g3.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3 SCT040TO65G3 STMicroelectronics sct040to65g3.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.62 грн
10+493.01 грн
100+356.91 грн
500+325.84 грн
1800+325.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3 SCT040TO65G3 STMICROELECTRONICS 4420374.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+664.45 грн
5+582.30 грн
10+500.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3 sct040to65g3.pdf
SCT040TO65G3
Виробник: STMicroelectronics
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+630.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3 sct040to65g3.pdf
SCT040TO65G3
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+659.62 грн
10+493.01 грн
100+356.91 грн
500+325.84 грн
1800+325.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3 4420374.pdf
SCT040TO65G3
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+664.45 грн
5+582.30 грн
10+500.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.