SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 636.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCT040W120G3-4AG за ціною від 443.40 грн до 1379.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT040W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT040W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT040W120G3-4AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT040W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT040W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SCT040W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCT040W120G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Technology: SiC Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 56nC On-state resistance: 54mΩ Drain current: 40A Pulsed drain current: 179A Power dissipation: 312W Application: automotive industry Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Case: HIP247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |