Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT040W120G3-4AG
SCT040W120G3-4AG

SCT040W120G3-4AG STMICROELECTRONICS

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1436.82 грн
5+1351.82 грн
10+1265.99 грн
50+1080.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT040W120G3-4AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SCT040W120G3-4AG за ціною від 760.21 грн до 1455.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT040W120G3-4AG Виробник : STMicroelectronics sct040w120g3-4ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+760.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AG Виробник : STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1455.67 грн
10+1264.82 грн
25+1070.42 грн
50+1010.83 грн
100+951.24 грн
250+921.81 грн
600+862.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AG Виробник : STMicroelectronics sct040w120g3-4ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00954987.pdf SCT040W120G3-4AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AG Виробник : STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AG Виробник : STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.