SCT040W120G3AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: HIP-247 IN LINE HEAT SINK 2MM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 846.45 грн |
| 10+ | 568.94 грн |
| 100+ | 430.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT040W120G3AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCT040W120G3AG за ціною від 741.59 грн до 1347.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT040W120G3AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT040W120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT040W120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SCT040W120G3AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Technology: SiC Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 56nC On-state resistance: 54mΩ Drain current: 40A Pulsed drain current: 179A Power dissipation: 312W Application: automotive industry Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Case: HIP247™ |
товару немає в наявності |