SCT055HU65G3AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Технічний опис SCT055HU65G3AG STMICROELECTRONICS
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 185W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Supplier Device Package: HU3PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT055HU65G3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SCT055HU65G3AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 185W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| SCT055HU65G3AG |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)