SCT055TO65G3 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 500.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT055TO65G3 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-LL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCT055TO65G3 за ціною від 276.94 грн до 673.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT055TO65G3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT055TO65G3 | Виробник : STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|