SCT055W65G3-4AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 915.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT055W65G3-4AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції SCT055W65G3-4AG за ціною від 509.09 грн до 971.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT055W65G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCT055W65G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SCT055W65G3-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |