SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 210W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 210W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 814.65 грн |
| 10+ | 700.27 грн |
| 30+ | 655.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 210W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm.
Інші пропозиції SCT055W65G3-4AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT055W65G3-4AG | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SCT055W65G3-4AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 210W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT055W65G3-4AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT055W65G3-4AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SCT055W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)