Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT060HU75G3AG
SCT060HU75G3AG

SCT060HU75G3AG STMicroelectronics

en.DM00950837.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 58 mOhm typ., 30 A
на замовлення 592 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+955.57 грн
10+660.46 грн
100+499.24 грн
600+423.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT060HU75G3AG STMicroelectronics

Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 185W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Supplier Device Package: HU3PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT060HU75G3AG за ціною від 456.15 грн до 958.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT060HU75G3AG SCT060HU75G3AG STMicroelectronics en.DM00950837.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+958.08 грн
10+643.45 грн
50+524.34 грн
100+456.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG SCT060HU75G3AG STMICROELECTRONICS 4319720.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT060HU75G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 185W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG SCT060HU75G3AG STMICROELECTRONICS 4319720.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT060HU75G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 185W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG en.DM00950837.pdf
SCT060HU75G3AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+958.08 грн
10+643.45 грн
50+524.34 грн
100+456.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG 4319720.pdf
SCT060HU75G3AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT060HU75G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 185W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG 4319720.pdf
SCT060HU75G3AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT060HU75G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 185W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.