Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT060HU75G3AG
SCT060HU75G3AG

SCT060HU75G3AG STMicroelectronics

en.DM00950837.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+853.24 грн
10+573.26 грн
100+501.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT060HU75G3AG STMicroelectronics

Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 185W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Supplier Device Package: HU3PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT060HU75G3AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT060HU75G3AG SCT060HU75G3AG STMicroelectronics en.DM00950837.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 58 mOhm typ., 30 A
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG SCT060HU75G3AG STMICROELECTRONICS 4319720.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT060HU75G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG en.DM00950837.pdf
SCT060HU75G3AG
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 58 mOhm typ., 30 A
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG 4319720.pdf
SCT060HU75G3AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT060HU75G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.