Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT070H120G3AG

SCT070H120G3AG STMicroelectronics

Name: SCT070H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 39006793-4
Price: 1139.82 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

на замовлення 100 шт:

термін постачання 245-254 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1139.82 грн
10+	826.58 грн
25+	706.99 грн
50+	685.66 грн
100+	589.28 грн
250+	578.98 грн
500+	545.88 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SCT070H120G3AG STMicroelectronics

Description: H2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 223W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT070H120G3AG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SCT070H120G3AG	Виробник : STMicroelectronics	SCT070H120G3AG SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SCT070H120G3AG	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SCT070H120G3AG	Виробник : STMicroelectronics	Description: H2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SCT070H120G3AG	Виробник : STMicroelectronics	Description: H2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.