Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT070H120G3AG
SCT070H120G3AG

SCT070H120G3AG STMicroelectronics

sct070h120g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT070H120G3AG STMicroelectronics

Description: H2PAK-7, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: H2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 223W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SCT070H120G3AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT070H120G3AG SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS 4384376.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS 4384376.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG 4384376.pdf
SCT070H120G3AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG 4384376.pdf
SCT070H120G3AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.