Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT070H120G3AG
SCT070H120G3AG

SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS

4384376.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+799.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS

Description: H2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 223W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT070H120G3AG за ціною від 565.30 грн до 1180.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT070H120G3AG SCT070H120G3AG Виробник : STMICROELECTRONICS 4384376.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1071.73 грн
5+935.84 грн
10+799.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG SCT070H120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1180.38 грн
10+855.99 грн
25+732.15 грн
50+710.05 грн
100+610.25 грн
250+599.58 грн
500+565.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG SCT070H120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG SCT070H120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf Description: H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG SCT070H120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf Description: H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG Виробник : STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: H2PAK7
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 87mΩ
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.