SCT1000N170 STMicroelectronics
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 493.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT1000N170 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCT1000N170 за ціною від 266.16 грн до 715.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: HIP247 IN LINE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 7A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 96W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 7A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 96W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |