SCT1000N170 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 997.77 грн |
| 5+ | 922.51 грн |
| 10+ | 847.25 грн |
| 50+ | 734.14 грн |
| 100+ | 628.49 грн |
| 250+ | 615.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT1000N170 STMICROELECTRONICS
Description: HIP247 IN LINE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції SCT1000N170 за ціною від 609.12 грн до 1049.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ 7 A |
на замовлення 600 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: HIP247 IN LINE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |