SCT1000N170 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: HIP247 IN LINE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 621.53 грн |
| 10+ | 409.30 грн |
| 100+ | 302.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT1000N170 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCT1000N170 за ціною від 345.03 грн до 1190.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ 7 A |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SCT1000N170 | Виробник : STMicroelectronics |
SCT1000N170 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |