Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT10N120
SCT10N120

SCT10N120 STMicroelectronics

sct10n120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+598.78 грн
30+310.07 грн
120+278.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT10N120 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SCT10N120 за ціною від 572.29 грн до 985.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT10N120 SCT10N120 STMICROELECTRONICS 2815805.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.00 грн
5+893.19 грн
10+801.37 грн
50+682.80 грн
100+572.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120 2815805.pdf
SCT10N120
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+985.00 грн
5+893.19 грн
10+801.37 грн
50+682.80 грн
100+572.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.