Технічний опис SCT10N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SCT10N120 за ціною від 280.39 грн до 663.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT10N120 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SCT10N120 | STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SCT10N120 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W Case: HIP247™ Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -10...25V Kind of package: tube On-state resistance: 690mΩ Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 150W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 12A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SCT10N120 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SCT10N120 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| SCT10N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 375.47 грн |
| SCT10N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 602.98 грн |
| 30+ | 312.24 грн |
| 120+ | 280.39 грн |
| SCT10N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
On-state resistance: 690mΩ
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
On-state resistance: 690mΩ
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 663.25 грн |
| 5+ | 580.73 грн |
| 10+ | 560.64 грн |
| SCT10N120 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCT10N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)