SCT10N120AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 548.31 грн |
| 30+ | 298.74 грн |
| 120+ | 293.31 грн |
| 510+ | 260.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT10N120AG STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT10N120AG за ціною від 345.18 грн до 576.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT10N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ TJ = 1 |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SCT10N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A Automotive 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| SCT10N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A Automotive 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
SCT10N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
SCT10N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 150W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Technology: SiC Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
SCT10N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 150W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Technology: SiC Application: automotive industry |
товару немає в наявності |