SCT10N120AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 617.05 грн |
| 30+ | 304.38 грн |
| 120+ | 281.06 грн |
| 510+ | 249.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT10N120AG STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 12A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: HiP247™, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT10N120AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SCT10N120AG | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
SCT10N120AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, TO-247Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 12 Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 200 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
SCT10N120AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SCT10N120AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
| SCT10N120AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
SiC MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT10N120AG |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 12
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT10N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 12
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCT10N120AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SCT10N120AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.





