SCT2080KEGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1809.78 грн |
| 10+ | 1306.35 грн |
| 450+ | 1092.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2080KEGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT2080KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 262W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT2080KEGC11 за ціною від 1207.55 грн до 2222.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT2080KEGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT2080KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 262W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT2080KEGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCT2080KEGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 80A; 262W Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -6...22V Gate charge: 106nC On-state resistance: 0.117Ω Drain current: 40A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 262W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |