Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT2080KEHRC11
SCT2080KEHRC11

SCT2080KEHRC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT2080KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2845.40 грн
30+1818.06 грн
60+1708.62 грн
120+1596.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT2080KEHRC11 Rohm Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA, Supplier Device Package: TO-247N, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT2080KEHRC11 за ціною від 1596.92 грн до 5507.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT2080KEHRC11 SCT2080KEHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT2080KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 75 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+3074.13 грн
10+2111.81 грн
100+1793.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11 SCT2080KEHRC11 Rohm Semiconductor sct2080kehr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3170.80 грн
6+2577.79 грн
10+2408.36 грн
50+2007.25 грн
100+1772.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11 SCT2080KEHRC11 Rohm Semiconductor sct2080kehr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5507.20 грн
5+5339.28 грн
10+5009.41 грн
20+4526.84 грн
50+4252.61 грн
100+4171.14 грн
250+4099.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT2080KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 40A; 262W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 262W
Gate charge: 106nC
Technology: SiC
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+2517.87 грн
3+1941.89 грн
4+1893.19 грн
5+1863.48 грн
9+1810.67 грн
10+1804.06 грн
20+1596.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11 datasheet?p=SCT2080KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT2080KEHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 75 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3074.13 грн
10+2111.81 грн
100+1793.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11 sct2080kehr-e.pdf
SCT2080KEHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3170.80 грн
6+2577.79 грн
10+2408.36 грн
50+2007.25 грн
100+1772.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11 sct2080kehr-e.pdf
SCT2080KEHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+5507.20 грн
5+5339.28 грн
10+5009.41 грн
20+4526.84 грн
50+4252.61 грн
100+4171.14 грн
250+4099.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11 datasheet?p=SCT2080KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 40A; 262W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 262W
Gate charge: 106nC
Technology: SiC
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+2517.87 грн
3+1941.89 грн
4+1893.19 грн
5+1863.48 грн
9+1810.67 грн
10+1804.06 грн
20+1596.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.