SCT20N120 STMicroelectronics
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 587.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT20N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCT20N120 за ціною від 385.77 грн до 926.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT20N120 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SCT20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |