Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT20N120
SCT20N120

SCT20N120 STMicroelectronics

sct20n120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+624.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT20N120 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SCT20N120 за ціною від 366.44 грн до 1020.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics sct20n120.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.43 грн
30+479.80 грн
120+410.27 грн
510+366.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.60 грн
2+651.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1020.77 грн
50+979.78 грн
100+905.10 грн
200+831.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 STMICROELECTRONICS 2371865.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics sct20n120.pdf SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 sct20n120.pdf
SCT20N120
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+827.43 грн
30+479.80 грн
120+410.27 грн
510+366.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 sct20n120.pdf
SCT20N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+912.60 грн
2+651.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 sct20n120.pdf
SCT20N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1020.77 грн
50+979.78 грн
100+905.10 грн
200+831.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 2371865.pdf
SCT20N120
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 sct20n120.pdf
SCT20N120
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 sct20n120.pdf
SCT20N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 sct20n120.pdf
SCT20N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.