Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT20N120
SCT20N120

SCT20N120 STMicroelectronics

sct20n120.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT20N120 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SCT20N120 за ціною від 408.32 грн до 939.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+839.27 грн
2+598.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics sct20n120.pdf SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.05 грн
10+552.17 грн
100+414.37 грн
600+408.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+876.16 грн
50+840.97 грн
100+776.88 грн
200+713.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMICROELECTRONICS 2371865.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+927.97 грн
5+866.90 грн
10+806.67 грн
50+692.34 грн
100+587.46 грн
250+535.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics sct20n120.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+939.00 грн
30+547.65 грн
120+469.39 грн
510+438.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics sct20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C43E685F0745&compId=SCT20N120.pdf?ci_sign=9451617e1d1c1ad7c40e318f4a61c05dd8092ceb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C43E685F0745&compId=SCT20N120.pdf?ci_sign=9451617e1d1c1ad7c40e318f4a61c05dd8092ceb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.