SCT20N120AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 990.16 грн |
| 10+ | 726.32 грн |
| 100+ | 545.49 грн |
| 600+ | 517.30 грн |
| 1200+ | 438.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT20N120AG STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT20N120AG за ціною від 1042.52 грн до 1252.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT20N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
SCT20N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 153W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
|
SCT20N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 153W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
 |
SCT20N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
SCT20N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
| SCT20N120AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |