Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT20N120AG

SCT20N120AG STMicroelectronics

Name: SCT20N120AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 31820663-8
Price: 1186.50 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 45A
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	1186.50 грн
3+	1048.11 грн
5+	1039.85 грн

В кошику од. на суму грн.

Товар під замовлення

Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.

термін постачання: 14-30 дні (днів)

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SCT20N120AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 153W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SCT20N120AG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SCT20N120AG	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 153W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

SCT20N120AG

SGST-S-A0009161902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.