Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT20N120AG
SCT20N120AG

SCT20N120AG STMicroelectronics

sct10n120ag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1093.26 грн
3+959.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT20N120AG STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT20N120AG за ціною від 703.89 грн до 1311.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT20N120AG SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct20n120ag-1761495.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm typ Tj = 15
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1113.29 грн
10+967.20 грн
25+793.15 грн
100+726.39 грн
250+704.62 грн
600+703.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct20n120ag.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1274.01 грн
30+801.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct10n120ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1311.91 грн
3+1196.30 грн
25+1151.08 грн
30+1144.73 грн
510+1107.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct20n120ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct20n120ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct20n120ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.