Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT20N120AG
SCT20N120AG

SCT20N120AG STMicroelectronics

sct20n120ag.pdf Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1031.36 грн
10+755.86 грн
100+567.68 грн
1200+456.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT20N120AG STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT20N120AG за ціною від 958.79 грн до 1501.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT20N120AG SCT20N120AG Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0009161902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1097.53 грн
5+958.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct20n120ag.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1501.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct20n120ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct20n120ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG Виробник : STMicroelectronics sct20n120ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.