SCT20N120H STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1050.29 грн |
| 10+ | 799.21 грн |
| 25+ | 746.01 грн |
| 100+ | 645.32 грн |
| 250+ | 619.20 грн |
| 500+ | 603.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT20N120H STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V.
Інші пропозиції SCT20N120H за ціною від 571.05 грн до 1270.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT20N120H | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SCT20N120H | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SCT20N120H | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm |
на замовлення 776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SCT20N120H | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SCT20N120H | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| SCT20N120H | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 150W Case: H2PAK-2 On-state resistance: 239mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
SCT20N120H | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SCT20N120H | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 150W Case: H2PAK-2 On-state resistance: 239mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...25V |
товару немає в наявності |