Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT20N120H
SCT20N120H

SCT20N120H STMicroelectronics

sct20n120h.pdf Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an H2PAK-2 package
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.48 грн
10+453.63 грн
100+370.14 грн
500+360.26 грн
1000+359.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT20N120H STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V.

Інші пропозиції SCT20N120H за ціною від 622.41 грн до 1330.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1100.06 грн
10+837.08 грн
25+781.36 грн
100+675.89 грн
250+648.54 грн
500+632.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1241.71 грн
13+996.00 грн
25+926.93 грн
50+884.96 грн
100+752.39 грн
250+685.34 грн
500+657.39 грн
1000+622.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1330.41 грн
10+1067.14 грн
25+993.14 грн
50+948.17 грн
100+806.13 грн
250+734.29 грн
500+704.35 грн
1000+666.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics en.dm00645805.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.