Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT20N120H
SCT20N120H

SCT20N120H STMicroelectronics

sct20n120h.pdf Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an H2PAK-2 package
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.37 грн
10+415.77 грн
100+359.16 грн
1000+358.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT20N120H STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V.

Інші пропозиції SCT20N120H за ціною від 641.72 грн до 1371.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1280.24 грн
13+1026.90 грн
25+955.69 грн
50+912.42 грн
100+775.73 грн
250+706.60 грн
500+677.79 грн
1000+641.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1371.69 грн
10+1100.25 грн
25+1023.96 грн
50+977.59 грн
100+831.14 грн
250+757.07 грн
500+726.20 грн
1000+687.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics en.dm00645805.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H SCT20N120H Виробник : STMicroelectronics sct20n120h.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.