SCT2160KEGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1067.34 грн |
| 10+ | 836.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2160KEGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 165W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.
Інші пропозиції SCT2160KEGC11 за ціною від 798.11 грн до 1477.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT2160KEGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT2160KEGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT2160KEGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 165W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT2160KEGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1332.05 грн |
| 25+ | 1270.55 грн |
| 50+ | 1219.42 грн |
| 100+ | 1134.42 грн |
| SCT2160KEGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1477.98 грн |
| 12+ | 1213.17 грн |
| 13+ | 1161.45 грн |
| 50+ | 1003.57 грн |
| 100+ | 862.16 грн |
| 200+ | 798.11 грн |
| SCT2160KEGC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)