SCT2160KEHRC11

SCT2160KEHRC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT2160KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1079.12 грн
30+948.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT2160KEHRC11 Rohm Semiconductor

Description: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT2160KEHRC11 за ціною від 773.37 грн до 1520.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT2160KEHRC11 SCT2160KEHRC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT2160KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1200V, 22A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1172.43 грн
25+1096.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEHRC11 SCT2160KEHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor sct2160kehr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1210.41 грн
25+1154.53 грн
50+1108.07 грн
100+1030.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEHRC11 SCT2160KEHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor sct2160kehr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1431.18 грн
11+1120.05 грн
50+972.04 грн
100+834.30 грн
200+773.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEHRC11 SCT2160KEHRC11 Виробник : ROHM datasheet?p=SCT2160KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT2160KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1520.17 грн
5+1519.35 грн
10+1518.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.