Технічний опис SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 108W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT2280KEGC11 за ціною від 575.15 грн до 979.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT2280KEGC11 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SCT2280KEGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT2280KEGC11 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SCT2280KEGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 108W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT2280KEGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 752.74 грн |
| 25+ | 717.98 грн |
| 50+ | 689.09 грн |
| 100+ | 641.06 грн |
| 250+ | 575.15 грн |
| SCT2280KEGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 979.44 грн |
| 17+ | 879.25 грн |
| 50+ | 821.50 грн |
| 100+ | 701.24 грн |
| 200+ | 606.15 грн |
| SCT2280KEGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT2280KEGC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)