Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT2280KEGC11
SCT2280KEGC11

SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor

sct2280ke-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+605.29 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 24 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 108W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.

Інші пропозиції SCT2280KEGC11 за ціною від 538.99 грн до 1108.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor sct2280ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+757.77 грн
25+722.78 грн
50+693.69 грн
100+645.34 грн
250+579.00 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor sct2280ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+985.98 грн
17+885.13 грн
50+826.99 грн
100+705.93 грн
200+610.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT2280KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
на замовлення 898 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1108.32 грн
10+641.70 грн
100+538.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 ROHM sct2280ke-e.pdf Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 108W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 sct2280ke-e.pdf
SCT2280KEGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+757.77 грн
25+722.78 грн
50+693.69 грн
100+645.34 грн
250+579.00 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 sct2280ke-e.pdf
SCT2280KEGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+985.98 грн
17+885.13 грн
50+826.99 грн
100+705.93 грн
200+610.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 datasheet?p=SCT2280KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT2280KEGC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
на замовлення 898 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1108.32 грн
10+641.70 грн
100+538.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 sct2280ke-e.pdf
SCT2280KEGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 108W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.