SCT2280KEGC11

SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor


sct2280ke-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+516.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT2280KEGC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 108W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SCT2280KEGC11 за ціною від 487.15 грн до 869.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 Виробник : Rohm Semiconductor sct2280ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+646.22 грн
25+616.39 грн
50+591.58 грн
100+550.35 грн
250+493.77 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT2280KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+783.26 грн
10+542.39 грн
450+520.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 Виробник : ROHM sct2280ke-e.pdf Description: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+822.95 грн
5+707.97 грн
10+592.16 грн
50+542.24 грн
100+494.19 грн
250+487.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 Виробник : Rohm Semiconductor sct2280ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+840.85 грн
17+754.84 грн
50+705.26 грн
100+602.01 грн
200+520.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 SCT2280KEGC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT2280KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+869.53 грн
10+616.31 грн
450+535.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT2280KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 364mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -6...22V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT2280KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 35A; 108W
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 364mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -6...22V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: THT
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.