Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT2280KEHRC11
SCT2280KEHRC11

SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor

sct2280kehr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+869.35 грн
25+829.21 грн
50+795.85 грн
100+740.37 грн
250+664.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 17 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor

Description: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V, Power Dissipation (Max): 108W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA, Supplier Device Package: TO-247N, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT2280KEHRC11 за ціною від 557.44 грн до 1285.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT2280KEHRC11 SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor sct2280kehr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+869.35 грн
25+829.21 грн
50+795.85 грн
100+740.37 грн
250+664.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11 SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT2280KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.41 грн
30+588.06 грн
120+557.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11 SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor sct2280kehr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1155.65 грн
17+855.47 грн
50+799.70 грн
100+683.04 грн
200+590.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11 SCT2280KEHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT2280KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 280mO 2nd Gen TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1285.79 грн
10+850.28 грн
100+653.81 грн
450+620.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11 SCT2280KEHRC11 ROHM sct2280kehr-e.pdf Description: ROHM - SCT2280KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11 sct2280kehr-e.pdf
SCT2280KEHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+869.35 грн
25+829.21 грн
50+795.85 грн
100+740.37 грн
250+664.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11 datasheet?p=SCT2280KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT2280KEHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+973.41 грн
30+588.06 грн
120+557.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11 sct2280kehr-e.pdf
SCT2280KEHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1155.65 грн
17+855.47 грн
50+799.70 грн
100+683.04 грн
200+590.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11 datasheet?p=SCT2280KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT2280KEHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 280mO 2nd Gen TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1285.79 грн
10+850.28 грн
100+653.81 грн
450+620.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11 sct2280kehr-e.pdf
SCT2280KEHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2280KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.