SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 744.98 грн |
| 25+ | 710.58 грн |
| 50+ | 681.99 грн |
| 100+ | 634.45 грн |
| 250+ | 569.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V, Power Dissipation (Max): 108W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA, Supplier Device Package: TO-247N, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT2280KEHRC11 за ціною від 505.65 грн до 1169.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT2280KEHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT2280KEHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT2280KEHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-247N Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT2280KEHRC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT2280KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 108W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT2280KEHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V, 14A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|