SCT2450KEC ROHM - Japan
Виробник: ROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 10A 85W 0,585R TO247 SCT2450KEC : Rohm SCT2450KEC TSCT2450kec
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 661.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2450KEC ROHM - Japan
Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCT2450KEC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT2450KEC | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 7A; Idm: 25A; 85W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 85W Case: TO247 Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
SCT2450KEC | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |
|
 |
SCT2450KEC | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1200V 10A 450mOhm Silicon Carbide SiC |
товару немає в наявності |
|
|
|
SCT2450KEC | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 7A; Idm: 25A; 85W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 85W Case: TO247 Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |