Продукція > ROHM - JAPAN > SCT2450KEC

SCT2450KEC ROHM - Japan

Виробник: ROHM - Japan
SiC-N-Ch 1200V 10A 85W 0,585R TO247 SCT2450KEC : Rohm SCT2450KEC TSCT2450kec
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	668.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SCT2450KEC ROHM - Japan

Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V.

Інші пропозиції SCT2450KEC

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SCT2450KEC	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SCT2450KEC	Виробник : ROHM Semiconductor	MOSFET 1200V 10A 450mOhm Silicon Carbide SiC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SCT2450KEC	Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 7A; Idm: 25A; 85W; TO247 Technology: SiC Case: TO247 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -6...22V Gate charge: 27nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 85W Drain-source voltage: 1.2kV	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.