SCT2450KEC ROHM - Japan
Виробник: ROHM - Japan
SiC-N-Ch 1200V 10A 85W 0,585R TO247 SCT2450KEC : Rohm SCT2450KEC TSCT2450kec
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 738.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2450KEC ROHM - Japan
Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-247, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3.
Інші пропозиції SCT2450KEC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT2450KEC | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 |
товару немає в наявності |
|
 |
SCT2450KEC | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1200V 10A 450mOhm Silicon Carbide SiC |
товару немає в наявності |