SCT2450KEGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 418.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2450KEGC11 Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCT2450KEGC11 за ціною від 396.29 грн до 952.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT2450KEGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N T/R |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT2450KEGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT2450KEGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V, 10A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|