SCT2450KEHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 774.35 грн |
| 25+ | 745.70 грн |
| 50+ | 716.13 грн |
| 100+ | 662.93 грн |
| 250+ | 587.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2450KEHRC11 Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT2450KEHRC11 за ціною від 532.01 грн до 1065.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT2450KEHRC11 | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT2450KEHRC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT2450KEHRC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT2450KEHRC11 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SCT2450KEHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT2450KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.45 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT2450KEHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 982.58 грн |
| 10+ | 662.26 грн |
| SCT2450KEHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1065.59 грн |
| 10+ | 812.30 грн |
| 25+ | 796.47 грн |
| 50+ | 753.51 грн |
| 100+ | 658.15 грн |
| 250+ | 532.01 грн |
| SCT2450KEHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1065.59 грн |
| 18+ | 812.30 грн |
| 25+ | 796.47 грн |
| 50+ | 753.51 грн |
| 100+ | 658.15 грн |
| 250+ | 532.01 грн |
| SCT2450KEHRC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT2450KEHRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2450KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.45 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT2450KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.45 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)