SCT2750NYTB

SCT2750NYTB Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V
на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+266.92 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT2750NYTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SCT2750NYTB за ціною від 254.55 грн до 559.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT2750NYTB SCT2750NYTB Виробник : ROHM sct2750ny-e.pdf Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+453.91 грн
50+386.23 грн
100+323.98 грн
250+317.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB SCT2750NYTB Виробник : Rohm Semiconductor sct2750ny-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.9A 3-Pin(2+Tab) TO-268L T/R
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+461.93 грн
29+435.58 грн
50+409.22 грн
100+369.19 грн
250+319.62 грн
500+285.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB SCT2750NYTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.81 грн
10+362.40 грн
100+290.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB SCT2750NYTB Виробник : ROHM sct2750ny-e.pdf Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+540.56 грн
5+497.65 грн
10+453.91 грн
50+386.23 грн
100+323.98 грн
250+317.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB SCT2750NYTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
на замовлення 7128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.61 грн
10+462.78 грн
100+335.47 грн
500+295.74 грн
800+266.32 грн
2400+254.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB
Код товару: 147922
Додати до обраних Обраний товар

datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SCT2750NYTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.