Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SCT2750NYTB

SCT2750NYTB

datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 147922
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SCT2750NYTB за ціною від 253.04 грн до 556.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT2750NYTB SCT2750NYTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+258.70 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB SCT2750NYTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.47 грн
10+351.25 грн
100+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB SCT2750NYTB Rohm Semiconductor sct2750ny-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.9A 3-Pin(2+Tab) TO-268L T/R
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+539.05 грн
29+508.30 грн
50+477.54 грн
100+430.83 грн
250+372.98 грн
500+333.17 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB SCT2750NYTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
на замовлення 7128 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+556.30 грн
10+460.04 грн
100+333.48 грн
500+293.99 грн
800+264.74 грн
2400+253.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB SCT2750NYTB ROHM sct2750ny-e.pdf Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB SCT2750NYTB ROHM sct2750ny-e.pdf Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT2750NYTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+258.70 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT2750NYTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+514.47 грн
10+351.25 грн
100+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB sct2750ny-e.pdf
SCT2750NYTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.9A 3-Pin(2+Tab) TO-268L T/R
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+539.05 грн
29+508.30 грн
50+477.54 грн
100+430.83 грн
250+372.98 грн
500+333.17 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB datasheet?p=SCT2750NY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT2750NYTB
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
на замовлення 7128 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+556.30 грн
10+460.04 грн
100+333.48 грн
500+293.99 грн
800+264.74 грн
2400+253.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB sct2750ny-e.pdf
SCT2750NYTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2750NYTB sct2750ny-e.pdf
SCT2750NYTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.