Інші пропозиції SCT2750NYTB за ціною від 240.61 грн до 531.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT2750NYTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-268 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT2750NYTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT2750NYTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-268 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT2750NYTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.9A 3-Pin(2+Tab) TO-268L T/R |
на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT2750NYTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide |
на замовлення 7128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT2750NYTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|