Інші пропозиції SCT2H12NZGC11 за ціною від 366.74 грн до 532.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCT2H12NZGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCT2H12NZGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCT2H12NZGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8VtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 35W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT2H12NZGC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 427.64 грн |
| 35+ | 409.28 грн |
| 50+ | 393.68 грн |
| 100+ | 366.74 грн |
| SCT2H12NZGC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 532.57 грн |
| SCT2H12NZGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




