SCT2H12NZGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 368.02 грн |
| 35+ | 352.21 грн |
| 50+ | 338.79 грн |
| 100+ | 315.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2H12NZGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-3PFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT2H12NZGC11 за ціною від 233.88 грн до 568.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT2H12NZGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT2H12NZGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Supplier Device Package: TO-3PFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT2H12NZGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT2H12NZGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SCT2H12NZGC11 Код товару: 194772
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
| SCT2H12NZGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SCT2H12NZGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT2H12NZGC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |